企业标准参编对标报告
「中国电子科技集团公司第五十五研究所」
生成日期：2026年10月01日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项（持续扩充中）
一、贵企业参编概况
63参编标准总数
23牵头起草
22团标
38国标
3行标
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 本企业角色 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 47239.4-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第4部分：柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 20870.1-2026 | 半导体器件 第16-1部分 : 微波集成电路 放大器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 47239.6-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第6部分：柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 47725-2026 | 微机电系统（MEMS）技术 硅通孔三维结构可靠性评价要求 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4023.4-2026 | 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.36-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速度 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.24-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第24部分：加速耐湿 无偏置强加速应力试验 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.25-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分：温度循环 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.33-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分：加速耐湿 无偏置高压蒸煮 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 45618-2025 | 日盲紫外像增强器技术要求 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 20870.4-2024 | 半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 44766-2024 | 微波电路 限幅器测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| T/CASAS 007—2020 | 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 牵头起草单位 |
| GB/T 35010.1-2018 | 半导体芯片产品 第1部分：采购和使用要求 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 35011-2018 | 微波电路 压控振荡器测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 35001-2018 | 微波电路 噪声源测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| SJ/T 11707-2018 | 硅通孔几何测量术语 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| GB/T 6996-2012 | 透射式电视测试图 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 13170-2011 | 反射式电视测试图 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 22181.22-2008 | 等离子体显示器件 第2-2部分：光电参数测量方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 22181.21-2008 | 等离子体显示器件 第2-1部分：光学参数测量方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 20870.1-2007 | 半导体器件 第16-1部分：微波集成电路 放大器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 20516-2006 | 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 47239.1-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第1部分：柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 47239.5-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第5部分：柔性材料热特性测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 38001.61-2026 | 柔性显示器件 第6-1部分：机械试验方法 形变试验 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 47909-2026 | 金刚石多晶片 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 47768-2026 | 微机电系统（MEMS）技术 玻璃浆料键合强度的微型V形试验（MCT）测量方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| JC/T 3004—2026 | 化学气相沉积金刚石热沉片 | 行标 | 工业和信息化部 | 起草单位 |
| GB/T 11499-2026 | 半导体分立器件文字符号 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 47240.1-2026 | 半导体器件 人体通信半导体接口 第1部分：总则 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 47240.4-2026 | 半导体器件 人体通信半导体接口 第4部分：胶囊内窥镜 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CAAMTB 305—2025 | 《电动汽车用碳化硅场效应晶体管可靠性要求及试验方法》 | 团标 | 中国汽车工业协会 | 参编单位 |
| GB/T 46611-2025 | 电光调制器用铌酸锂单晶薄膜 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 18910.103-2025 | 液晶显示器件 第10-3部分：环境、耐久性和机械试验方法 玻璃强度和可靠性 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CIE 310—2025 | 射频微波功率晶体管用气密封装外壳通用规范 | 团标 | 中国电子学会 | 参编单位 |
| GB/T 43931-2024 | 宇航用微波集成电路芯片通用规范 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CIE 237—2024 | 氮化镓（GaN）功率放大器模块可靠性射频加速试验评估方法 | 团标 | 中国电子学会 | 参编单位 |
| GB/T 20870.5-2023 | 半导体器件 第16-5部分：微波集成电路 振荡器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 42837-2023 | 微波半导体集成电路 放大器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 42836-2023 | 微波半导体集成电路 混频器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CASAS 031—2023 | 面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放 模块测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/ESD 2004—2023 | 防静电接地通用规范 | 团标 | 上海防静电工业协会 | 参编单位 |
| T/ESD 3012—2023 | 热塑性本征静电耗散高分子材料防静电性能要求 | 团标 | 上海防静电工业协会 | 参编单位 |
| T/ESD 4001—2023 | 防静电产品合格供应商评定规范 | 团标 | 上海防静电工业协会 | 参编单位 |
| T/BMCA 002—2022 | 各向同性导电胶粘剂试验技术规程 | 团标 | 北京市军民融合协同创新协会 | 参编单位 |
| T/CIE 115—2021 | 电子元器件失效机理、模式及影响分析（FMMEA）通用方法和程序 | 团标 | 中国电子学会 | 参编单位 |
| T/CASAS 011.3—2021 | 车规级智能功率模块（IPM）测试认证规范 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 011.1—2021 | 车规级半导体功率器件测试认证规范 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 011.2—2021 | 车规级半导体功率模块测试认证规范 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 006—2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 团标 | 北京���三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/IAWBS 012—2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 团标 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | 参编单位 |
| T/IAWBS 013—2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 团标 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 004.2—2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 003—2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 004.1—2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 001—2018 | 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| GB/T 35010.2-2018 | 半导体芯片产品 第2部分：数据交换格式 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| SJ/T 2406-2018 | 微波电路型号命名方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 起草单位 |
| T/IAWBS 002—2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 团标 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | 参编单位 |
| T/IAWBS 003—2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 团标 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | 参编单位 |
最近一次参编标准发布日期：2026-08-28
二、同行参编对比
| 对标企业 | 参编总数 | 与本企业同标 |
|---|---|---|
| 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 170 项 | 22 项 |
| 中国电子技术标准化研究院 | 3463 项 | 15 项 |
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1043 项 | 11 项 |
三、可参编标准机会清单
以下 200 项标准有 2 家及以上同行领先企业参与、而贵企业尚未参编，建议优先评估：
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 同行参与 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 15879.613-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-13部分：密节距焊球阵列封装（FBGA）和密节距焊盘阵列封装（FLGA）顶部开放式插座的设计指南 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所、工业和信息化部电子第五研究所（3 家） |
| GB/T 15879.616-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-16部分：焊球阵列封装（BGA）、焊盘阵列封装（LGA）、密节距焊球阵列封装（FBGA）和密节距焊盘阵列封装（FLGA）的半导体试验和老化插座术语表 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所、工业和信息化部电子第五研究所（3 家） |
| GB/T 44806.3-2026 | 集成电路 收发器的电磁兼容（EMC）评估 第3部分：控制器局域网（CAN）收发器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
| GB/T 20521.12-2026 | 半导体器件 第14-12部分：半导体传感器 基于CMOS成像的气体传感器的性能测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所（2 家） |
| GB/T 20870.7-2026 | 半导体器件 第16-7部分：微波集成电路 衰减器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所（2 家） |
| GB/T 48169-2026 | 工业互联网平台 产品数据字典管理要求 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
| GB/T 42709.29-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第29部分：室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
| GB/T 28162.2-2026 | 自动装配用元器件的包装 第2部分：单向引线元器件在连续带上的带式包装 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
四、招投标加分潜力分析
| 标准级别 | 牵头起草 | 参与起草 |
|---|---|---|
| 国家标准 | 4 ~ 6 分 | 2 ~ 4 分 |
| 行业标准 | 3 ~ 5 分 | 1.5 ~ 3 分 |
| 团体标准 | 2 ~ 4 分 | 1 ~ 2 分 |
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 147 ~ 251 分
其中牵头起草 23 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分，贵企业已可覆盖多数项目的加分上限，后续参编主要提升竞争壁垒
以上 63 项标准均可在发布前开具参编证明，直接作为投标佐证材料（1 周内可出）
| 企业 | 标准化加分潜力估算 | 与贵企业差距 |
|---|---|---|
| 本企业 | 147 ~ 251 分 | — |
| 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 306.5 ~ 613 分 | 落后约 362 分 |
| 中国电子技术标准化研究院 | 6,116.5 ~ 12233 分 | 落后约 11982 分 |
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1478 ~ 2956 分 | 落后约 2705 分 |
说明：分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理，仅作参考；实际加分以各项目招标文件评审标准为准。
五、结论与建议
综上，贵企业当前参编 63 项标准（牵头 23 项），在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 3463 项，差距即机会。结合上方机会清单，优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。
参编标准可为企业带来：投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明（1 周内可出，标准发布前即可用于投标）。
参编申报咨询：18660107518（微信同号）