企业标准参编对标报告

「中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟」
生成日期：2026年10月01日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项（持续扩充中）

一、贵企业参编概况

26参编标准总数
13牵头起草
24团标
2国标
标准号标准名称级别发布机构本企业角色
T/IAWBS 001—2021 碳化硅单晶 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 014—2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 015—2021 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 008—2019 SiC晶片的残余应力检测方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 013—2019 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 009—2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 010—2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 011—2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 012—2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 006—2018 碳化硅混合模块测试方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 007—2018 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 002—2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 003—2017 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 牵头起草单位
T/IAWBS 024—2025 金刚石单晶中石墨相的相对含量测定 拉曼光谱法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 参编单位
T/IAWBS 025—2025 碳化硅器件功率循环试验方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 参编单位
T/IAWBS 023—2025 金刚石单晶表面应力分布测定 拉曼光谱法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 参编单位
T/IAWBS 021—2024 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 参编单位
T/IAWBS 020—2024 碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 参编单位
T/IAWBS 005—2024 6~8英寸碳化硅单晶抛光片 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 参编单位
GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
T/IAWBS 006—2022 碳化硅混合模块产品测试方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 参编单位
T/IAWBS 017—2022 金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技���创新联盟 参编单位
T/IAWBS 018—2022 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 参编单位
T/IAWBS 016—2022 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 参编单位
T/IAWBS 004—2021 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 团标 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 参编单位
GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
最近一次参编标准发布日期：2025-09-24

二、同行参编对比

取与本企业同标准共现最多的同行企业，对比参编规模（同标 = 与本企业在同一标准中共同署名）。
本企业（中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟）
26牵头 13 项
北京天科合达半导体股份有限公司
23与本企业同标 13 项
中国科学院半导体研究所
148与本企业同标 9 项
中国科学院电工研究所
211与本企业同标 6 项
对标企业参编总数与本企业同标
北京天科合达半导体股份有限公司23 项13 项
中国科学院半导体研究所148 项9 项
中国科学院电工研究所211 项6 项

三、可参编标准机会清单

以下 1 项标准有 2 家及以上同行领先企业参与、而贵企业尚未参编，建议优先评估：
标准号标准名称级别发布机构同行参与
GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱 国标 国家标准化管理委员会 中国科学院半导体研究所、北京天科合达半导体股份有限公司（2 家）

四、招投标加分潜力分析

标准化业绩是招投标技术标的重要加分项。已根据贵企业 26 项参编记录（牵头 13 项）与同行数据，完成加分潜力测算。
标准级别牵头起草参与起草
国家标准4 ~ 6 分2 ~ 4 分
行业标准3 ~ 5 分1.5 ~ 3 分
团体标准2 ~ 4 分1 ~ 2 分
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 41 ~ 82 分
其中牵头起草 13 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分，贵企业已可覆盖多数项目的加分上限，后续参编主要提升竞争壁垒
以上 26 项标准均可在发布前开具参编证明，直接作为投标佐证材料（1 周内可出）
企业标准化加分潜力估算与贵企业差距
本企业41 ~ 82 分—
北京天科合达半导体股份有限公司 34 ~ 68 分 贵企业领先约 14 分
中国科学院半导体研究所 214.5 ~ 429 分 落后约 347 分
中国科学院电工研究所 304.5 ~ 609 分 落后约 527 分
说明：分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理，仅作参考；实际加分以各项目招标文件评审标准为准。

五、结论与建议

综上，贵企业当前参编 26 项标准（牵头 13 项），在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 211 项，差距即机会。结合上方机会清单，优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。

参编标准可为企业带来：投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明（1 周内可出，标准发布前即可用于投标）。

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