企业参编标准对标报告
江苏第三代半导体研究院有限公司
生成时间：2026年09月30日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等
一、参编总览
「江苏第三代半导体研究院有限公司」共参与 11 项标准的起草，
其中担任牵头/主要起草单位 0 项。
团标 8 项；国标 3 项； 参编标准是企业行业话语权与投标竞争力的直接体现。
二、参编标准清单（最多列示 200 项，按牵头与发布时间排序）
| 标准号 | 标准名称 | 类型 | 角色 | 状态 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 47097-2026 | 氮化铝单晶抛光片 | 国标 | 起草单位 | 现行 |
| T/CASAS 037—2027 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 栅极电荷试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| GB/T 46227-2025 | 半导体单晶材料透过率测试方法 | 国标 | 起草单位 | 现行 |
| T/CASAS 043—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 046—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 021—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 044—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 047—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 042—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 045—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| GB/T 44558-2024 | III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法 | 国标 | 起草单位 | 现行 |
三、对标建议
与同行相比，参编数量与牵头数量是企业技术实力的直观指标。贵司可结合主营业务，评估在相关领域申报
国家标准 / 行业标准 / 团体标准 参编资格——参编证明 1 周内可出，标准发布前即可用于投标。
咨询：18660107518（微信同号）