企业参编标准对标报告
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
生成时间：2026年09月30日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等
一、参编总览
「北京第三代半导体产业技术创新战略联盟」共参与 46 项标准的起草，
其中担任牵头/主要起草单位 0 项。
团标 43 项；国标 3 项； 参编标准是企业行业话语权与投标竞争力的直接体现。
二、参编标准清单（最多列示 200 项，按牵头与发布时间排序）
| 标准号 | 标准名称 | 类型 | 角色 | 状态 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 国标 | 起草单位 | 即将实施 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 国标 | 起草单位 | 即将实施 |
| T/CASAS 037—2027 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 栅极电荷试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 059—2025 | 光治疗用柔性LED光源 ?辐照度均匀性测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CSA 104—2025 | 光治疗用柔性LED光源 辐照度均匀性测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 049—2025 | 光治疗用柔性LED光源 ?拉伸度测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CSA 097—2025 | 光治疗用柔性LED光源 拉伸度测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 058—2025 | 光治疗用柔性LED光源 ?拉伸弯曲可靠性试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CSA 103—2025 | 光治疗用柔性LED光源 拉伸弯曲可靠性试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 057—2025 | 高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 060—2025 | 用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 052—2025 | 非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 54—2025 | 氮化铝晶片吸收系数测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 53—2025 | 氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 036—2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 048—2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 047—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 042—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 045—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 021—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 043—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 046—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 033—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 044—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 035—2024 | 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 034—2024 | 用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| GB/T 43612-2023 | 碳化硅晶体材料缺陷图谱 | 国标 | 起草单位 | 现行 |
| T/CASAS 029—2023 | Sub-6GHz GaN射频器件微波特性测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 027—2023 | 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 030—2023 | GaN毫米波前端芯片测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 028—2023 | Sub-6GHz GaN射频器件可靠性筛选和验收方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 031—2023 | 面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放 模块测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 032—2023 | 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 025—2023 | 8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 026—2023 | 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 022—2022 | 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 005—2022 | 用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 015—2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 016—2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 018—2021 | 微纳米金属烧结连接件 剪切强度试验方法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 014—2021 | 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 019—2021 | 微纳米金属烧结体电阻率测试方法 四探针法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 017—2021 | 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 020—2021 | 微纳米金属烧结体热导率试验方法 闪光法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 013—2021 | 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
| T/CASAS 002—2021 | 宽禁带半导体术语 | 团标 | 参编单位 | 现行 |
三、对标建议
与同行相比，参编数量与牵头数量是企业技术实力的直观指标。贵司可结合主营业务，评估在相关领域申报
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