企业标准参编对标报告
「深圳基本半导体有限公司」
生成日期：2026年10月01日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项（持续扩充中）
一、贵企业参编概况
14参编标准总数
0牵头起草
9团标
5国标
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 本企业角色 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 46894-2025 | 车辆集成电路电磁兼容试验通用规范 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 46788-2025 | 半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 43885-2024 | 碳化硅外延片 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 4937.42-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第42部分：温湿度贮存 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 42284.5-2022 | 道路车辆 电动汽车驱动系统用电气及电子设备的环境条件和试验 第5部分：化学负荷 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CASAS 015—2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 016—2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 011.2—2021 | 车规级半导体功率模块测试认证规范 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 020—2021 | 微纳米金属烧结体热导率试验方法 闪光法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 011.3—2021 | 车规级智能功率模块（IPM）测试认证规范 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 017—2021 | 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 018—2021 | 微纳米金属烧结连接件 剪切强度试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 011.1—2021 | 车规级半导体功率器件测试认证规范 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 019—2021 | 微纳米金属烧结体电阻率测试方法 四探针法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
最近一次参编标准发布日期：2025-12-31
二、同行参编对比
| 对标企业 | 参编总数 | 与本企业同标 |
|---|---|---|
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1043 项 | 7 项 |
| 西安交通大学 | 1033 项 | 6 项 |
| 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 46 项 | 6 项 |
三、可参编标准机会清单
以下 41 项标准有 2 家及以上同行领先企业参与、而贵企业尚未参编，建议优先评估：
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 同行参与 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 037—2027 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 栅极电荷试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 047—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 046—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 045—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 044—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 043—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 042—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 033—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
四、招投标加分潜力分析
| 标准级别 | 牵头起草 | 参与起草 |
|---|---|---|
| 国家标准 | 4 ~ 6 分 | 2 ~ 4 分 |
| 行业标准 | 3 ~ 5 分 | 1.5 ~ 3 分 |
| 团体标准 | 2 ~ 4 分 | 1 ~ 2 分 |
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 19 ~ 38 分
其中牵头起草 0 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分，贵企业已可覆盖多数项目的加分上限，后续参编主要提升竞争壁垒
以上 14 项标准均可在发布前开具参编证明，直接作为投标佐证材料（1 周内可出）
| 企业 | 标准化加分潜力估算 | 与贵企业差距 |
|---|---|---|
| 本企业 | 19 ~ 38 分 | — |
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1478 ~ 2956 分 | 落后约 2918 分 |
| 西安交通大学 | 1472 ~ 2944 分 | 落后约 2906 分 |
| 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 49 ~ 98 分 | 落后约 60 分 |
说明：分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理，仅作参考；实际加分以各项目招标文件评审标准为准。
五、结论与建议
综上，贵企业当前参编 14 项标准（牵头 0 项），在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 1043 项，差距即机会。结合上方机会清单，优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。
参编标准可为企业带来：投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明（1 周内可出，标准发布前即可用于投标）。
参编申报咨询：18660107518（微信同号）