企业标准参编对标报告
「北京半导体照明科技促进中心」
生成日期：2026年10月01日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项（持续扩充中）
一、贵企业参编概况
21参编标准总数
3牵头起草
18团标
3国标
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 本企业角色 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 019—2021 | 微纳米金属烧结体电阻率测试方法 四探针法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 牵头起草单位 |
| T/CASAS 017—2021 | 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 牵头起草单位 |
| T/CASAS 018—2021 | 微纳米金属烧结连接件 剪切强度试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 牵头起草单位 |
| T/CASAS 020—2021 | 微纳米金属烧结体热导率试验方法 闪光法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| GB/T 31831-2015 | LED室内照明应用技术要求 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 31832-2015 | LED城市道路照明应用技术要求 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CSA 030-2014 | LED 照明光组件 体系分类 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 009-2013 | 自镇流非定向 LED 灯 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 005-2013 | 寒地LED道路照明产品 性能要求 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 021-2013 | 植物生长用LED平板灯 性能要求 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 013-2012 | LED平板灯（具）性能要求 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| GB/T 28208-2011 | 脉冲光辐射源光谱辐射测量方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CSA 011-2011 | 普通照明用双端LED灯 安全要求 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 012-2011 | 普通照明用双端LED灯 性能要求 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 010—2011 | 地铁场所照明用LED灯具技术规范 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 008—2011 | 照明用LED驱动电源通用规则 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 006—2010 | LED筒灯 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 007—2010 | 反射型自镇流LED照明产品 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 002—2010 | 半导体照明试点示范工程 LED道路照明产品技术规范 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 004—2010 | 半导体照明试点示范工程LED道路和隧道照明现场检测及验收实施细则 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 003—2009 | LED隧道灯 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
最近一次参编标准发布日期：2021-11-01
二、同行参编对比
| 对标企业 | 参编总数 | 与本企业同标 |
|---|---|---|
| 复旦大学 | 363 项 | 6 项 |
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1043 项 | 5 项 |
| 国家电光源质量监督检验中心（北京） | 160 项 | 5 项 |
三、可参编标准机会清单
以下 14 项标准有 2 家及以上同行领先企业参与、而贵企业尚未参编，建议优先评估：
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 同行参与 |
|---|---|---|---|---|
| T/CIE 364—2025 | 自旋轨道矩磁随机存储器测试方法 | 团标 | 中国电子学会 | 复旦大学、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
| T/CIE 363—2025 | 宇航级磁随机存储器抗辐照测试方法 | 团标 | 中国电子学会 | 复旦大学、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
| GB/T 46119-2025 | 光的人眼非视觉生物效应作用剂量 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 国家电光源质量监督检验中心（北京）、复旦大学（2 家） |
| T/CASAS 045—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 复旦大学、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
| T/CASAS 044—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 复旦大学、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
| T/CASAS 043—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 复旦大学、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
| T/CASAS 042—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 复旦大学、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
| GB/T 43817-2024 | 紫外辐射源的辐射测量方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 国家电光源质量监督检验中心（北京）、复旦大学（2 家） |
四、招投标加分潜力分析
| 标准级别 | 牵头起草 | 参与起草 |
|---|---|---|
| 国家标准 | 4 ~ 6 分 | 2 ~ 4 分 |
| 行业标准 | 3 ~ 5 分 | 1.5 ~ 3 分 |
| 团体标准 | 2 ~ 4 分 | 1 ~ 2 分 |
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 27 ~ 54 分
其中牵头起草 3 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分，贵企业已可覆盖多数项目的加分上限，后续参编主要提升竞争壁垒
以上 21 项标准均可在发布前开具参编证明，直接作为投标佐证材料（1 周内可出）
| 企业 | 标准化加分潜力估算 | 与贵企业差距 |
|---|---|---|
| 本企业 | 27 ~ 54 分 | — |
| 复旦大学 | 547.5 ~ 1095 分 | 落后约 1041 分 |
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1478 ~ 2956 分 | 落后约 2902 分 |
| 国家电光源质量监督检验中心（北京） | 297 ~ 594 分 | 落后约 540 分 |
说明：分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理，仅作参考；实际加分以各项目招标文件评审标准为准。
五、结论与建议
综上，贵企业当前参编 21 项标准（牵头 3 项），在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 1043 项，差距即机会。结合上方机会清单，优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。
参编标准可为企业带来：投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明（1 周内可出，标准发布前即可用于投标）。
参编申报咨询：18660107518（微信同号）