企业标准参编对标报告
「英特工程仿真技术（大连）有限公司」
生成日期：2026年09月30日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项（持续扩充中）
一、贵企业参编概况
4参编标准总数
0牵头起草
4团标
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 本企业角色 |
|---|---|---|---|---|
| T/CEC 1077.1—2025 | 输变电设备仿真通用技术规范 第1部分：术语 | 团标 | 中国电力企业联合会 | 参编单位 |
| T/CEC 1076.1—2025 | 输变电设备仿真数据库技术规范 第1部分：总则 | 团标 | 中国电力企业联合会 | 参编单位 |
| T/CEC 1077.2—2025 | 输变电设备仿真通用技术规范 第2部分：仿真规则 | 团标 | 中国电力企业联合会 | 参编单位 |
| T/CPUMT 012—2023 | 武器装备科研生产单位信用等级评价要求 | 团标 | 中国和平利用军工技术协会 | 参编单位 |
最近一次参编标准发布日期：2025-03-04
二、同行参编对比
| 对标企业 | 参编总数 | 与本企业同标 |
|---|---|---|
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1043 项 | 4 项 |
| 中国电力科学研究院有限公司 | 2276 项 | 3 项 |
| 西安交通大学 | 1033 项 | 3 项 |
三、可参编标准机会清单
以下 197 项标准有 2 家及以上同行领先企业参与、而贵企业尚未参编，建议优先评估：
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 同行参与 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 037—2027 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 栅极电荷试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 中国电力科学研究院有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| GB/T 46176-2025 | 柔性直流换流阀功率模块可靠性试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电力科学研究院有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 047—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 中国电力科学研究院有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 046—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 中国电力科学研究院有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 045—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 中国电力科学研究院有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 044—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 中国电力科学研究院有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 043—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 中国电力科学研究院有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
| T/CASAS 042—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 中国电力科学研究院有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、西安交通大学（3 家） |
四、招投标加分潜力分析
| 标准级别 | 牵头起草 | 参与起草 |
|---|---|---|
| 国家标准 | 4 ~ 6 分 | 2 ~ 4 分 |
| 行业标准 | 3 ~ 5 分 | 1.5 ~ 3 分 |
| 团体标准 | 2 ~ 4 分 | 1 ~ 2 分 |
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 4 ~ 8 分
其中牵头起草 0 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分，贵企业已可覆盖多数项目的加分上限，后续参编主要提升竞争壁垒
以上 4 项标准均可在发布前开具参编证明，直接作为投标佐证材料（1 周内可出）
| 企业 | 标准化加分潜力估算 | 与贵企业差距 |
|---|---|---|
| 本企业 | 4 ~ 8 分 | — |
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1478 ~ 2956 分 | 落后约 2948 分 |
| 中国电力科学研究院有限公司 | 3,258.5 ~ 6517 分 | 落后约 6509 分 |
| 西安交通大学 | 1472 ~ 2944 分 | 落后约 2936 分 |
说明：分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理，仅作参考；实际加分以各项目招标文件评审标准为准。
五、结论与建议
综上，贵企业当前参编 4 项标准（牵头 0 项），在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 2276 项，差距即机会。结合上方机会清单，优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。
参编标准可为企业带来：投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明（1 周内可出，标准发布前即可用于投标）。
参编申报咨询：18660107518（微信同号）