企业标准参编对标报告
「成都恩驰微波科技有限公司」
生成日期：2026年09月30日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项（持续扩充中）
一、贵企业参编概况
11参编标准总数
0牵头起草
11团标
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 本企业角色 |
|---|---|---|---|---|
| T/CECA 107—2024 | 微波介质用陶瓷粉体 介电性能的测试方法 | 团标 | 中国电子元件行业协会 | 参编单位 |
| T/CSTM 00992—2023 | 面向通信用关键材料的高频信号电磁辐射环境试验方法 | 团标 | 中关村材料试验技术联盟 | 参编单位 |
| T/CSTM 00989—2023 | 微波参数在高温、低温、温度循环、湿度载荷下的测试方法 | 团标 | 中关村材料试验技术联盟 | 参编单位 |
| T/CSTM 00990—2023 | 毫米波频段介电常数和介质损耗角正切测试方法 准光腔法 | 团标 | 中关村材料试验技术联盟 | 参编单位 |
| T/CSTM 00984—2023 | 天线用液晶聚合物/改性聚酰亚胺材料试验方法 | 团标 | 中关村材料试验技术联盟 | 参编单位 |
| T/CSTM 00986—2023 | 高频介质基板的复介电常数测试 平衡型圆盘谐振器法 | 团标 | 中关村材料试验技术联盟 | 参编单位 |
| T/CSTM 00985—2023 | 低损耗介质板的复介电常数测试 分离式圆柱谐振腔法 | 团标 | 中关村材料试验技术联盟 | 参编单位 |
| T/CSTM 00909—2023 | 介质基板介电常数和介质损耗角正切测试方法（1MHz~1GHz） 平行板电容法 | 团标 | 中关村材料试验技术联盟 | 参编单位 |
| T/CSTM 00907—2022 | 高频基板材料试验方法 | 团标 | 中关村材料试验技术联盟 | 参编单位 |
| T/CSTM 00910—2022 | 高频介质基板的介电常数和介质损耗角正切测试方法 带状线测试法 | 团标 | 中关村材料试验技术联盟 | 参编单位 |
| T/CSTM 00751—2022 | 微波波段固态电介质材料介电性能测试 闭腔法 | 团标 | 中关村材料试验技术联盟 | 参编单位 |
最近一次参编标准发布日期：2024-12-27
二、同行参编对比
| 对标企业 | 参编总数 | 与本企业同标 |
|---|---|---|
| 电子科技大学 | 428 项 | 10 项 |
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1043 项 | 8 项 |
| 广东生益科技股份有限公司 | 58 项 | 6 项 |
三、可参编标准机会清单
以下 46 项标准有 2 家及以上同行领先企业参与、而贵企业尚未参编，建议优先评估：
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 同行参与 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 43801-2024 | 微波频段覆铜箔层压板相对介电常数和损耗正切值测试方法 分离介质谐振器法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 工业和信息化部电子第五研究所、广东生益科技股份有限公司、电子科技大学（3 家） |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学（2 家） |
| GB/T 48170-2026 | 用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学（2 家） |
| GB/T 15879.613-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-13部分：密节距焊球阵列封装（FBGA）和密节距焊盘阵列封装（FLGA）顶部开放式插座的设计指南 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学（2 家） |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学（2 家） |
| GB/T 48168-2026 | 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学（2 家） |
| GB/T 42709.36-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第 36 部分：MEMS 压电薄膜的环境及介电耐压试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学（2 家） |
| GB/Z 34954.2-2026 | 航空电子过程管理 电子器件使用性能 第2部分：半导体集成电路寿命 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学（2 家） |
四、招投标加分潜力分析
| 标准级别 | 牵头起草 | 参与起草 |
|---|---|---|
| 国家标准 | 4 ~ 6 分 | 2 ~ 4 分 |
| 行业标准 | 3 ~ 5 分 | 1.5 ~ 3 分 |
| 团体标准 | 2 ~ 4 分 | 1 ~ 2 分 |
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 11 ~ 22 分
其中牵头起草 0 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分，贵企业已可覆盖多数项目的加分上限，后续参编主要提升竞争壁垒
以上 11 项标准均可在发布前开具参编证明，直接作为投标佐证材料（1 周内可出）
| 企业 | 标准化加分潜力估算 | 与贵企业差距 |
|---|---|---|
| 本企业 | 11 ~ 22 分 | — |
| 电子科技大学 | 589 ~ 1178 分 | 落后约 1156 分 |
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1478 ~ 2956 分 | 落后约 2934 分 |
| 广东生益科技股份有限公司 | 92.5 ~ 185 分 | 落后约 163 分 |
说明：分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理，仅作参考；实际加分以各项目招标文件评审标准为准。
五、结论与建议
综上，贵企业当前参编 11 项标准（牵头 0 项），在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 1043 项，差距即机会。结合上方机会清单，优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。
参编标准可为企业带来：投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明（1 周内可出，标准发布前即可用于投标）。
参编申报咨询：18660107518（微信同号）