国标即将实施
GB/T 45716.1-2026
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验 第1部分:MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验
起草单位(18 家)
工业和信息化部电子第五研究所牵头北京智芯微电子科技有限公司中国电子科技集团公司第五十八研究所河北北芯半导体科技有限公司中国工程物理研究院流体物理研究所龙腾半导体股份有限公司广东芯聚能半导体有限公司石家庄天林石无二电子有限公司滁州华瑞微电子科技有限公司江苏长晶科技股份有限公司深圳市芯电元科技有限公司重庆大学长春理工大学粤芯半导体技术股份有限公司杭州高裕电子科技股份有限公司南京宽能半导体有限公司深圳市鲁光电子科技有限公司无锡新洁能股份有限公司
第一位为牵头起草单位;点击任意企业名,可查其参与的全部标准
想参与同类标准的编制?
参编标准可显著提升企业行业话语权与投标竞争力,参编证明 1 周内可出、标准发布前即可用于投标。
参编申报咨询:18660107518(微信同号)
参编申报咨询:18660107518(微信同号)
免费申请:参编标准申报评估
提交后 1 个工作日内回电,为您评估可申报的标准(国家标准 / 行业标准 / 团体标准)。
参编可获得:参编证明 1 周内可出,标准发布前即可用于投标、行业话语权与投标竞争力。名额有限,欲报从速。
参编可获得:参编证明 1 周内可出,标准发布前即可用于投标、行业话语权与投标竞争力。名额有限,欲报从速。
✓ 已收到您的申请
我们将在 1 个工作日内与您联系
也可直接电话/微信咨询:18660107518
我们将在 1 个工作日内与您联系
也可直接电话/微信咨询:18660107518