国标现行
GB/T 43493.3-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法
起草单位（13 家）
河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）牵头之江实验室广东天域半导体股份有限公司中国电子科技集团公司第四十六研究所浙江大学山东天岳先进科技股份有限公司山西烁科晶体有限公司中国科学院半导体研究所中电化合物半导体有限公司河北普兴电子科技股份有限公司常州臻晶半导体有限公司深圳市星汉激光科技股份有限公司厦门特仪科技有限公司
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