团标现行
T/CASAS 021—2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法
起草单位(24 家)
中国电子科技集团第五十五研究所牵头南京第三代半导体技术创新中心有限公司扬州国扬电子有限公司中国电子科技集团第十三研究所工业和信息化部电子第五研究所东南大学杭州芯迈半导体技术有限公司广电计量检测集团股份有限公司浙江大学浙江大学绍兴研究院湖北九峰山实验室是德科技(中国)有限公司博测锐创半导体科技(苏州)有限公司北京励芯泰思特测试技术有限公司山东大学泰科天润半导体科技(北京)有限公司西安交通大学朝阳微电子科技股份有限公司山东阅芯电子科技有限公司江苏第三代半导体研究院有限公司厦门华联半导体科技有限公司芯合半导体(合肥)有限公司广东能芯半导体科技有限公司北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
第一位为牵头起草单位;点击任意企业名,可查其参与的全部标准
想参与同类标准的编制?
参编标准可显著提升企业行业话语权与投标竞争力,参编证明 1 周内可出、标准发布前即可用于投标。
参编申报咨询:18660107518(微信同号)
参编申报咨询:18660107518(微信同号)
免费申请:参编标准申报评估
提交后 1 个工作日内回电,为您评估可申报的标准(国家标准 / 行业标准 / 团体标准)。
参编可获得:参编证明 1 周内可出,标准发布前即可用于投标、行业话语权与投标竞争力。名额有限,欲报从速。
参编可获得:参编证明 1 周内可出,标准发布前即可用于投标、行业话语权与投标竞争力。名额有限,欲报从速。
✓ 已收到您的申请
我们将在 1 个工作日内与您联系
也可直接电话/微信咨询:18660107518
我们将在 1 个工作日内与您联系
也可直接电话/微信咨询:18660107518