企业标准参编对标报告
「中国电子科技集团公司第十三研究所」
生成日期：2026年10月01日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项（持续扩充中）
一、贵企业参编概况
170参编标准总数
79牵头起草
25团标
128国标
17行标
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 本企业角色 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 15879.613-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-13部分：密节距焊球阵列封装（FBGA）和密节距焊盘阵列封装（FLGA）顶部开放式插座的设计指南 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 15879.616-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-16部分：焊球阵列封装（BGA）、焊盘阵列封装（LGA）、密节距焊球阵列封装（FBGA）和密节距焊盘阵列封装（FLGA）的半导体试验和老化插座术语表 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 15879.618-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-18部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 焊球阵列封装（BGA）的设计指南 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 15879.603-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-3部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 四边扁平封装（QFP）的尺寸测量方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 15879.620-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-20部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 小外形J形引线封装（SOJ）尺寸测量方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| JC/T 3037-2026 | 金刚石氮-空位色心量子相干时间检测方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| JC/T 3045-2026 | 量子级金刚石氮-空位色心浓度检测方法 荧光光子计数法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| GB/T 15651.4-2026 | 半导体器件 第5-4部分：光电子器件 半导体激光器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 15879.612-2025 | 半导体器件的机械标准化 第6-12部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 密节距焊盘阵列封装（FLGA）的设计指南 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.40-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第40部分：采用应变仪的板级跌落试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.37-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 46789-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 42706.3-2025 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第3部分：数据 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 46788-2025 | 半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 42706.6-2025 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第6部分：封装或涂覆元器件 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 46717-2025 | 半导体器件 金属化空洞应力试验 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 42706.4-2025 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第4部分：贮存 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.16-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND） | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 44797-2025 | 微波混合集成电路 合成频率源 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 43931-2024 | 宇航用微波集成电路芯片通用规范 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 43915-2024 | 纳米几何量标准样板测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.35-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.34-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 20870.2-2023 | 半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 20870.10-2023 | 半导体器件 第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 15651.6-2023 | 半导体器件 第5-6部分：光电子器件 发光二极管 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.26-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM） | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 20870.5-2023 | 半导体器件 第16-5部分：微波集成电路 振荡器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 42972-2023 | 微波电路 检波器测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| T/CASAS 028—2023 | Sub-6GHz GaN射频器件可靠性筛选和验收方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 牵头起草单位 |
| T/CASAS 029—2023 | Sub-6GHz GaN射频器件微波特性测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 牵头起草单位 |
| GB/T 4937.42-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第42部分：温湿度贮存 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.27-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分：静电放电（ESD）敏感度测试 机器模型（MM） | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 42706.5-2023 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第5部分：芯片和晶圆 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.32-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的） | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 42706.2-2023 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分：退化机理 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.31-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的） | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 42706.1-2023 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第1部分：总则 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.23-2023 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 41852-2022 | 半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 41853-2022 | 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 20230-2022 | 磷化铟单晶 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 20229-2022 | 磷化镓单晶 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 39516-2020 | 微纳米标准样板（几何量） | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 15879.4-2019 | 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装外形的分类和编码体系 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.11-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化 双液槽法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.18-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分：电离辐射（总剂量） | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.201-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.12-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分：扫频振动 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.14-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分：引出端强度（引线牢固性） | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.30-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.15-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.21-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.13-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.20-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.17-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分：中子辐照 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.19-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分：芯片剪切强度 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.22-2018 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分：键合强度 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 36361-2018 | LED加速寿命试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 36356-2018 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 36362-2018 | LED应用产品可靠性试验的点估计和区间估计（指数分布） | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 35010.3-2018 | 半导体芯片产品 第3部分：操作、包装和贮存指南 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 35002-2018 | 微波电路 频率源测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 15651.4-2017 | 半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 249-2017 | 半导体分立器件型号命名方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| SJ/T 31080-2016 | 光掩模制作用图形发生器完好要求和检查评定方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| SJ/T 31387-2016 | 恒定湿热试验设备完好要求和检查评定方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| SJ/T 11581-2016 | LED模块加速寿命试验方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| SJ/T 31083-2016 | 真空镀膜设备完好要求和检查评定方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| SJ/T 31389-2016 | 高温试验设备完好要求和检查评定方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| SJ/T 31128-2016 | 近红外厚膜烧结炉完好要求和检查评定方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.3-2012 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.4-2012 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST） | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| SJ/T 11398-2009 | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| SJ/T 11400-2009 | 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.2-2006 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4937.1-2006 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第1部分: 总则 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 20229-2006 | 磷化镓单晶 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 20870.1-2026 | 半导体器件 第16-1部分 : 微波集成电路 放大器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 48095-2026 | 高深宽比微结构形貌参数显微干涉测量方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 20870.7-2026 | 半导体器件 第16-7部分：微波集成电路 衰减器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 20521.12-2026 | 半导体器件 第14-12部分：半导体传感器 基于CMOS成像的气体传感器的性能测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 20870.6-2026 | 半导体器件 第16-6部分：微波集成电路 倍频器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/Z 46809.2-2026 | 半导体器件 第19-2部分：智能传感器 低功耗运行的智能传感器及电源的规格说明 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 20870.3-2026 | 半导体器件 第16-3部分：微波集成电路 变频器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 47902-2026 | 金刚石单晶抛光片 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 47901-2026 | 激光器外延芯片用砷化镓衬底 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 47909-2026 | 金刚石多晶片 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 46567.2-2026 | 智能计算 忆阻器测试方法 第2部分：线性度 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 4937.201-2026 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 42706.9-2026 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第9部分：特殊情况 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 4023.4-2026 | 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 17573-2026 | 半导体器件 总则 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 4023.1-2026 | 半导体分立器件 第1部分：分规范 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 11499-2026 | 半导体分立器件文字符号 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 47239.9-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 42706.8-2026 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第8部分：无源电子器件 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 4937.28-2026 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试 带电器件模型（CDM） 器件级 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 42706.7-2026 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第7部分：微电子机械器件 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 47239.8-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第8部分：柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 4937.39-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：半导体器件用有机材料的潮气扩散率和水溶解度测量 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 46809.1-2025 | 半导体器件 第19-1部分：智能传感器 智能传感器的控制方案 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CEMIA 051—2025 | 氧化镓单晶位错密度测试方法 | 团标 | 中国电子材料行业协会 | 参编单位 |
| T/CEMIA 050—2025 | β相氧化镓同质外延片 | 团标 | 中国电子材料行业协会 | 参编单位 |
| GB/T 4937.44-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 4326-2025 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 46567.1-2025 | 智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 24468-2025 | 半导体设备可靠性、可用性和维修性（RAM）测量方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 46227-2025 | 半导体单晶材料透过率测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 45722-2025 | 半导体器件 恒流电迁移试验 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 45720-2025 | 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CSMT KJ002—2025 | 泵浦-探测瞬态热反射测试方法 | 团标 | 中国计量测试学会 | 参编单位 |
| GB/T 44766-2024 | 微波电路 限幅器测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 44529-2024 | 微机电系统（MEMS）技术 射频MEMS环行器和隔离器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 14264-2024 | 半导体材料术语 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 43972-2024 | 集成电路封装设备远程运维 状态监测 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 15651.7-2024 | 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 15651.5-2024 | 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 43612-2023 | 碳化硅晶体材料缺陷图谱 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 43313-2023 | 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 42975-2023 | 半导体集成电路 驱动器测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 4587-2023 | 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 1555-2023 | 半导体单晶晶向测定方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 42837-2023 | 微波半导体集成电路 放大器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 42836-2023 | 微波半导体集成电路 混频器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CASAS 027—2023 | 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 031—2023 | 面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放 模块测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/ESD 2004—2023 | 防静电接地通用规范 | 团标 | 上海防静电工业协会 | 参编单位 |
| T/ESD 4001—2023 | 防静电产品合格供应商评定规范 | 团标 | 上海防静电工业协会 | 参编单位 |
| GB/T 26111-2023 | 微机电系统（MEMS）技术 术语 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/BMCA 002—2022 | 各向同性导电胶粘剂试验技术规程 | 团标 | 北京市军民融合协同创新协会 | 参编单位 |
| T/CASAS 011.3—2021 | 车规级智能功率模块（IPM）测试认证规范 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 011.1—2021 | 车规级半导体功率器件测试认证规范 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 011.2—2021 | 车规级半导体功率模块测试认证规范 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CSA /TR010—2021 | 紫外LED杀菌消毒技术报告 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| GB/T 7092-2021 | 半导体集成电路外形尺寸 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CASAS 002—2021 | 宽禁带半导体术语 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/IAWBS 012—2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 团标 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 009—2019 | 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 010—2019 | 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| GB/T 36919-2019 | 有机发光二极管照明 术语和文字符号 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CASAS 003—2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 004.1—2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 004.2—2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| GB/T 36706-2018 | 磷化铟多晶 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 36360-2018 | 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 36357-2018 | 中功率半导体发光二极管芯片技术规范 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 36358-2018 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 35011-2018 | 微波电路 压控振荡器测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
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| T/CSA 019.2-2013 | LED照明产品检验试验规范 第2部分：道路照明用LED灯 | 团标 | 中关村半导体照明工程��发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 019.1-2013 | LED照明产品检验试验规范 第1部分：通用要求 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
| T/CSA 019.3-2013 | LED照明产品检验试验规范 第3部分：LED筒灯 | 团标 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | 参编单位 |
最近一次参编标准发布日期：2026-08-28
二、同行参编对比
| 对标企业 | 参编总数 | 与本企业同标 |
|---|---|---|
| 中国电子技术标准化研究院 | 3463 项 | 33 项 |
| 河北北芯半导体科技有限公司 | 46 项 | 32 项 |
| 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 63 项 | 22 项 |
三、可参编标准机会清单
以下 13 项标准有 2 家及以上同行领先企业参与、而贵企业尚未参编，建议优先评估：
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 同行参与 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 47239.4-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第4部分：柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第五十五研究所、河北北芯半导体科技有限公司（3 家） |
| GB/T 47239.1-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第1部分：柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第五十五研究所、河北北芯半导体科技有限公司（3 家） |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所、河北北芯半导体科技有限公司（2 家） |
| GB/T 47239.5-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第5部分：柔性材料热特性测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所、河北北芯半导体科技有限公司（2 家） |
| GB/T 47239.6-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第6部分：柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第五十五研究所（2 家） |
| GB/T 38001.61-2026 | 柔性显示器件 第6-1部分：机械试验方法 形变试验 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第五十五研究所（2 家） |
| GB/T 4937.9-2026 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第9部分：标志耐久性 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、河北北芯半导体科技有限公司（2 家） |
| GB/T 4937.41-2026 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、河北北芯半导体科技有限公司（2 家） |
四、招投标加分潜力分析
| 标准级别 | 牵头起草 | 参与起草 |
|---|---|---|
| 国家标准 | 4 ~ 6 分 | 2 ~ 4 分 |
| 行业标准 | 3 ~ 5 分 | 1.5 ~ 3 分 |
| 团体标准 | 2 ~ 4 分 | 1 ~ 2 分 |
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 457.5 ~ 771 分
其中牵头起草 79 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分，贵企业已可覆盖多数项目的加分上限，后续参编主要提升竞争壁垒
以上 170 项标准均可在发布前开具参编证明，直接作为投标佐证材料（1 周内可出）
| 企业 | 标准化加分潜力估算 | 与贵企业差距 |
|---|---|---|
| 本企业 | 457.5 ~ 771 分 | — |
| 中国电子技术标准化研究院 | 6,116.5 ~ 12233 分 | 落后约 11462 分 |
| 河北北芯半导体科技有限公司 | 87 ~ 174 分 | 贵企业领先约 597 分 |
| 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 102.5 ~ 205 分 | 贵企业领先约 566 分 |
说明：分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理，仅作参考；实际加分以各项目招标文件评审标准为准。
五、结论与建议
综上，贵企业当前参编 170 项标准（牵头 79 项），在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 3463 项，差距即机会。结合上方机会清单，优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。
参编标准可为企业带来：投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明（1 周内可出，标准发布前即可用于投标）。
参编申报咨询：18660107518（微信同号）