企业标准参编对标报告
「清纯半导体（宁波）有限公司」
生成日期：2026年10月01日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项（持续扩充中）
一、贵企业参编概况
7参编标准总数
1牵头起草
5团标
2国标
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 本企业角色 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 045—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 牵头起草单位 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CASAS 037—2027 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 栅极电荷试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 043—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 044—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 042—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
最近一次参编标准发布日期：2026-08-28
二、同行参编对比
| 对标企业 | 参编总数 | 与本企业同标 |
|---|---|---|
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1043 项 | 7 项 |
| 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 46 项 | 7 项 |
| 深圳平湖实验室 | 14 项 | 6 项 |
三、可参编标准机会清单
以下 18 项标准有 2 家及以上同行领先企业参与、而贵企业尚未参编，建议优先评估：
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 同行参与 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 052—2025 | 非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、深圳平湖实验室（3 家） |
| T/CASAS 047—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、深圳平湖实验室（3 家） |
| T/CASAS 046—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、深圳平湖实验室（3 家） |
| T/CASAS 033—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、深圳平湖实验室（3 家） |
| GB/T 48168-2026 | 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 工业和信息化部电子第五研究所、深圳平湖实验室（2 家） |
| T/CASAS 060—2025 | 用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
| T/CASAS 057—2025 | 高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、深圳平湖实验室（2 家） |
| T/CASAS 021—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所（2 家） |
四、招投标加分潜力分析
| 标准级别 | 牵头起草 | 参与起草 |
|---|---|---|
| 国家标准 | 4 ~ 6 分 | 2 ~ 4 分 |
| 行业标准 | 3 ~ 5 分 | 1.5 ~ 3 分 |
| 团体标准 | 2 ~ 4 分 | 1 ~ 2 分 |
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 10 ~ 20 分
其中牵头起草 1 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分，贵企业已可覆盖多数项目的加分上限，后续参编主要提升竞争壁垒
以上 7 项标准均可在发布前开具参编证明，直接作为投标佐证材料（1 周内可出）
| 企业 | 标准化加分潜力估算 | 与贵企业差距 |
|---|---|---|
| 本企业 | 10 ~ 20 分 | — |
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1478 ~ 2956 分 | 落后约 2936 分 |
| 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 49 ~ 98 分 | 落后约 78 分 |
| 深圳平湖实验室 | 16 ~ 32 分 | 落后约 12 分 |
说明：分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理，仅作参考；实际加分以各项目招标文件评审标准为准。
五、结论与建议
综上，贵企业当前参编 7 项标准（牵头 1 项），在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 1043 项，差距即机会。结合上方机会清单，优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。
参编标准可为企业带来：投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明（1 周内可出，标准发布前即可用于投标）。
参编申报咨询：18660107518（微信同号）