企业标准参编对标报告
「泰克科技（中国）有限公司」
生成日期：2026年10月01日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项（持续扩充中）
一、贵企业参编概况
2参编标准总数
0牵头起草
2团标
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 本企业角色 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 033—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 022—2022 | 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
最近一次参编标准发布日期：2024-11-19
二、同行参编对比
| 对标企业 | 参编总数 | 与本企业同标 |
|---|---|---|
| 浙江大学 | 1689 项 | 2 项 |
| 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 46 项 | 2 项 |
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1043 项 | 1 项 |
三、可参编标准机会清单
以下 57 项标准有 2 家及以上同行领先企业参与、而贵企业尚未参编，建议优先评估：
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 同行参与 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学（3 家） |
| T/CASAS 037—2027 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 栅极电荷试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学（3 家） |
| T/CASAS 044—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学（3 家） |
| T/CASAS 043—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学（3 家） |
| T/CASAS 042—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学（3 家） |
| T/CASAS 021—2024 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学（3 家） |
| T/CASAS 035—2024 | 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学（3 家） |
| T/CASAS 034—2024 | 用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学（3 家） |
四、招投标加分潜力分析
| 标准级别 | 牵头起草 | 参与起草 |
|---|---|---|
| 国家标准 | 4 ~ 6 分 | 2 ~ 4 分 |
| 行业标准 | 3 ~ 5 分 | 1.5 ~ 3 分 |
| 团体标准 | 2 ~ 4 分 | 1 ~ 2 分 |
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 2 ~ 4 分
其中牵头起草 0 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分，贵企业尚有加分空间，建议按上方机会清单补齐
以上 2 项标准均可在发布前开具参编证明，直接作为投标佐证材料（1 周内可出）
| 企业 | 标准化加分潜力估算 | 与贵企业差距 |
|---|---|---|
| 本企业 | 2 ~ 4 分 | — |
| 浙江大学 | 2,437.5 ~ 4875 分 | 落后约 4871 分 |
| 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 49 ~ 98 分 | 落后约 94 分 |
| 工业和信息化部电子第五研究所 | 1478 ~ 2956 分 | 落后约 2952 分 |
说明：分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理，仅作参考；实际加分以各项目招标文件评审标准为准。
五、结论与建议
综上，贵企业当前参编 2 项标准（牵头 0 项），在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 1689 项，差距即机会。结合上方机会清单，优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。
参编标准可为企业带来：投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明（1 周内可出，标准发布前即可用于投标）。
参编申报咨询：18660107518（微信同号）