企业标准参编对标报告

「扬州国扬电子有限公司」
生成日期:2026年10月01日 · 数据来源:全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项(持续扩充中)

一、贵企业参编概况

2参编标准总数
0牵头起草
2团标
标准号标准名称级别发布机构本企业角色
T/CASAS 021—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法 团标 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 参编单位
T/CASAS 007—2020 电动汽车用碳化硅(SiC)场效应晶体管(MOSFET)模块评测规范 团标 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 参编单位
最近一次参编标准发布日期:2024-11-19

二、同行参编对比

取与本企业同标准共现最多的同行企业,对比参编规模(同标 = 与本企业在同一标准中共同署名)。
本企业(扬州国扬电子有限公司)
2牵头 0 项
浙江大学
1689与本企业同标 2 项
工业和信息化部电子第五研究所
1043与本企业同标 1 项
东南大学
975与本企业同标 1 项
对标企业参编总数与本企业同标
浙江大学1689 项2 项
工业和信息化部电子第五研究所1043 项1 项
东南大学975 项1 项

三、可参编标准机会清单

以下 123 项标准有 2 家及以上同行领先企业参与、而贵企业尚未参编,建议优先评估:
标准号标准名称级别发布机构同行参与
GB/T 48164.1-2026 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳定性试验方法 国标 国家标准化管理委员会 东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学(3 家)
GB/T 44937.6-2025 集成电路 电磁发射测量 第6部分:传导发射测量 磁场探头法 国标 国家标准化管理委员会 东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学(3 家)
T/CASAS 037—2027 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET) 栅极电荷试验方法 团标 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学(3 家)
T/CASAS 005—2022 用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 团标 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学(3 家)
GB/T 44806.3-2026 集成电路 收发器的电磁兼容(EMC)评估 第3部分:控制器局域网(CAN)收发器 国标 国家标准化管理委员会 工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学(2 家)
GB/T 48170-2026 用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南 国标 国家标准化管理委员会 工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学(2 家)
GB/T 48168-2026 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓(GaN)晶体管可靠性试验方法 国标 国家标准化管理委员会 东南大学、工业和信息化部电子第五研究所(2 家)
GB/T 47926-2026 半导体用磁悬浮自轴承洁净泵技术规范 国标 国家标准化管理委员会 东南大学、浙江大学(2 家)

四、招投标加分潜力分析

标准化业绩是招投标技术标的重要加分项。已根据贵企业 2 项参编记录(牵头 0 项)与同行数据,完成加分潜力测算。
标准级别牵头起草参与起草
国家标准4 ~ 6 分2 ~ 4 分
行业标准3 ~ 5 分1.5 ~ 3 分
团体标准2 ~ 4 分1 ~ 2 分
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 2 ~ 4 分
其中牵头起草 0 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分,贵企业尚有加分空间,建议按上方机会清单补齐
以上 2 项标准均可在发布前开具参编证明,直接作为投标佐证材料(1 周内可出)
企业标准化加分潜力估算与贵企业差距
本企业2 ~ 4 分—
浙江大学 2,437.5 ~ 4875 分 落后约 4871 分
工业和信息化部电子第五研究所 1478 ~ 2956 分 落后约 2952 分
东南大学 1,213.5 ~ 2427 分 落后约 2423 分
说明:分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理,仅作参考;实际加分以各项目招标文件评审标准为准。

五、结论与建议

综上,贵企业当前参编 2 项标准(牵头 0 项),在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 1689 项,差距即机会。结合上方机会清单,优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。

参编标准可为企业带来:投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明(1 周内可出,标准发布前即可用于投标)。

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