企业标准参编对标报告
「中国电子科技集团公司第四十六研究所」
生成日期：2026年09月30日 · 数据来源：全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项（持续扩充中）
一、贵企业参编概况
68参编标准总数
26牵头起草
10团标
49国标
9行标
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 本企业角色 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 47097-2026 | 氮化铝单晶抛光片 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 46227-2025 | 半导体单晶材料透过率测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 1558-2023 | 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 43313-2023 | 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 1555-2023 | 半导体单晶晶向测定方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 6616-2023 | 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 42676-2023 | 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 42263-2022 | 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 41153-2021 | 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 1551-2021 | 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 40109-2021 | 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 39144-2020 | 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 32495-2016 | 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| SJ/T 11500-2015 | 碳化硅单晶晶向的测试方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| SJ/T 11504-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| SJ/T 11503-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| SJ/T 11501-2015 | 碳化硅单晶晶型的测试方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| SJ/T 11499-2015 | 碳化硅单晶电学性能的测试方法 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| SJ/T 11502-2015 | 碳化硅单晶抛光片规范 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| GB/T 30868-2014 | 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 30867-2014 | 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 30866-2014 | 碳化硅单晶片直径测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| SJ/T 11140-2012 | 铝电解电容器用电极箔 | 行标 | 工业和信息化部 | 主要起草单位 |
| SJ/T 11319-2005 | 锡焊料动态条件氧化渣量定量试验方法 | 行标 | 信息产业部 | 主要起草单位 |
| GB/T 19199-2003 | 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 主要起草单位 |
| GB/T 4192-2026 | 电真空器件及电光源用钨、钼材料电阻率的测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CEMIA 050—2025 | β相氧化镓同质外延片 | 团标 | 中国电子材料行业协会 | 参编单位 |
| T/CEMIA 051—2025 | 氧化镓单晶位错密度测试方法 | 团标 | 中国电子材料行业协会 | 参编单位 |
| GB/T 4326-2025 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CEMIA 049—2025 | 晶体生长用高纯碳化硅粉体 | 团标 | 中国电子材料行业协会 | 参编单位 |
| GB/T 32278-2025 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CASAS 53—2025 | 氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| T/CASAS 54—2025 | 氮化铝晶片吸收系数测试方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 参编单位 |
| JB/T 14860-2025 | 光纤角速度传感器用光纤环 | 行标 | 工业和信息化部 | 起草单位 |
| GB/T 43612-2023 | 碳化硅晶体材料缺陷图谱 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/CQAE 19002—2023 | 制造企业可靠性工程能力评价要求 | 团标 | 中国电子质量管理协会 | 参编单位 |
| T/CQAE 19001—2023 | 可靠性工程从业人员能力评价要求 | 团标 | 中国电子质量管理协会 | 参编单位 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 41751-2022 | 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 5252-2020 | 锗单晶位错密度的测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| T/IAWBS 010—2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 团标 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | 参编单位 |
| T/IAWBS 012—2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 团标 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | 参编单位 |
| T/IAWBS 013—2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 团标 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | 参编单位 |
| GB/T 5838.41-2015 | 荧光粉 第4-1部分：黑白显示管用荧光粉 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 5838.43-2015 | 荧光粉 第4-3部分：示波管和显示管用荧光粉 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 5838.42-2015 | 荧光粉 第4-2部分：指示管用荧光粉 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 11446.6-2013 | 电子级水中二氧化硅的分光光度测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 11446.7-2013 | 电子级水中痕量阴离子的离子色谱测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 11446.4-2013 | 电子级水电阻率的测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 11446.10-2013 | 电子级水中细菌总数的滤膜培养测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 14863-2013 | 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 11446.5-2013 | 电子级水中痕量金属的原子吸收分光光度测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 11446.1-2013 | 电子级水 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 11446.9-2013 | 电子级水中微粒的仪器测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 11446.3-2013 | 电子级水测试方法通则 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 11446.8-2013 | 电子级水中总有机碳的测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 24580-2009 | 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 24574-2009 | 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 24579-2009 | 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 24577-2009 | 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 1558-2009 | 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 24576-2009 | 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
| GB/T 24575-2009 | 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 起草单位 |
最近一次参编标准发布日期：2026-08-28
二、同行参编对比
| 对标企业 | 参编总数 | 与本企业同标 |
|---|---|---|
| 信息产业部专用材料质量监督检验中心 | 30 项 | 21 项 |
| 中国科学院半导体研究所 | 148 项 | 18 项 |
| 中国电子技术标准化研究院 | 3463 项 | 17 项 |
三、可参编标准机会清单
以下 10 项标准有 2 家及以上同行领先企业参与、而贵企业尚未参编，建议优先评估：
| 标准号 | 标准名称 | 级别 | 发布机构 | 同行参与 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 057—2025 | 高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法 | 团标 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | 中国电子技术标准化研究院、中国科学院半导体研究所（2 家） |
| T/CECA 108—2025 | 光纤光缆连接器总规范 | 团标 | 中国电子元件行业协会 | 中国电子技术标准化研究院、中国科学院半导体研究所（2 家） |
| GB/T 44985.1-2024 | 农业物联网通用技术要求 第1部分：大田种植 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国科学院半导体研究所（2 家） |
| GB/Z 43510-2023 | 集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国科学院半导体研究所（2 家） |
| GB/T 42973-2023 | 半导体集成电路 数字模拟（DA）转换器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国科学院半导体研究所（2 家） |
| GB/T 42839-2023 | 半导体集成电路 模拟数字（AD）转换器 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国科学院半导体研究所（2 家） |
| GB/T 38621-2020 | 发光二极管模块热特性瞬态测试方法 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、中国科学院半导体研究所（2 家） |
| GB/T 31474-2015 | 电子装联高质量内部互连用助焊剂 | 国标 | 国家标准化管理委员会 | 中国电子技术标准化研究院、信息产业部专用材料质量监督检验中心（2 家） |
四、招投标加分潜力分析
| 标准级别 | 牵头起草 | 参与起草 |
|---|---|---|
| 国家标准 | 4 ~ 6 分 | 2 ~ 4 分 |
| 行业标准 | 3 ~ 5 分 | 1.5 ~ 3 分 |
| 团体标准 | 2 ~ 4 分 | 1 ~ 2 分 |
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 169.5 ~ 295 分
其中牵头起草 26 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分，贵企业已可覆盖多数项目的加分上限，后续参编主要提升竞争壁垒
以上 68 项标准均可在发布前开具参编证明，直接作为投标佐证材料（1 周内可出）
| 企业 | 标准化加分潜力估算 | 与贵企业差距 |
|---|---|---|
| 本企业 | 169.5 ~ 295 分 | — |
| 信息产业部专用材料质量监督检验中心 | 59.5 ~ 119 分 | 贵企业领先约 176 分 |
| 中国科学院半导体研究所 | 214.5 ~ 429 分 | 落后约 134 分 |
| 中国电子技术标准化研究院 | 6,116.5 ~ 12233 分 | 落后约 11938 分 |
说明：分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理，仅作参考；实际加分以各项目招标文件评审标准为准。
五、结论与建议
综上，贵企业当前参编 68 项标准（牵头 26 项），在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 3463 项，差距即机会。结合上方机会清单，优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。
参编标准可为企业带来：投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明（1 周内可出，标准发布前即可用于投标）。
参编申报咨询：18660107518（微信同号）