企业标准参编对标报告

「广东天域半导体股份有限公司」
生成日期:2026年09月30日 · 数据来源:全国团体标准信息平台 / 全国标准信息公共服务平台等公开渠道 · 共收录标准 437,116 项(持续扩充中)

一、贵企业参编概况

30参编标准总数
1牵头起草
7团标
23国标
标准号标准名称级别发布机构本企业角色
GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱 国标 国家标准化管理委员会 主要起草单位
GB/T 48164.1-2026 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳定性试验方法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 48164.2-2026 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第2部分:体二极管工作引起双极退化的试验方法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 43894.3-2026 半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR) 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 47404-2026 碳化硅单晶 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 43894.2-2026 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分:边缘卷曲法(ROA) 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 47082-2026 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
T/CASME 2095—2025 半导体刻蚀用化学气相沉积碳化硅制品规范 团标 中国中小商业企业协会 参编单位
T/CASME 2085—2025 碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产品技术规范 团标 中国中小商业企业协会 参编单位
GB/T 46227-2025 半导体单晶材料透过率测试方法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 32278-2025 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 30868-2025 碳化硅单晶片微管密度测试方法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 14140-2025 半导体晶片直径测试方法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
T/CASME 2000—2025 半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范 团标 中国中小商业企业协会 参编单位
GB/T 45598-2025 精细陶瓷 高温弹性模量、剪切模量和泊松比试验方法 脉冲激励法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 44536-2024 CVD陶瓷涂层热膨胀系数和残余应力试验方法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
T/DGSEDA 001—2024 危险废物日常环境管理技术规范 团标 东莞市松山湖生态环境发展促进会 参编单位
GB/T 43885-2024 碳化硅外延片 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD) 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 国标 国家标准化管理委员会 起草单位
T/CASAS 025—2023 8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸 团标 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 参编单位
T/CASAS 026—2023 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法 团标 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 参编单位
T/CASAS 032—2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 团标 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 参编单位
最近一次参编标准发布日期:2026-08-28

二、同行参编对比

取与本企业同标准共现最多的同行企业,对比参编规模(同标 = 与本企业在同一标准中共同署名)。
本企业(广东天域半导体股份有限公司)
30牵头 1 项
有色金属技术经济研究院有限责任公司
311与本企业同标 10 项
山东天岳先进科技股份有限公司
14与本企业同标 10 项
中国科学院半导体研究所
148与本企业同标 9 项
对标企业参编总数与本企业同标
有色金属技术经济研究院有限责任公司311 项10 项
山东天岳先进科技股份有限公司14 项10 项
中国科学院半导体研究所148 项9 项

三、可参编标准机会清单

以下 8 项标准有 2 家及以上同行领先企业参与、而贵企业尚未参编,建议优先评估:
标准号标准名称级别发布机构同行参与
GB/T 47902-2026 金刚石单晶抛光片 国标 国家标准化管理委员会 中国科学院半导体研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司(2 家)
GB/T 35305-2026 太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片 国标 国家标准化管理委员会 中国科学院半导体研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司(2 家)
GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 国标 国家标准化管理委员会 中国科学院半导体研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司(2 家)
T/CASAS 048—2025 碳化硅单晶生长用等静压石墨 团标 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 中国科学院半导体研究所、山东天岳先进科技股份有限公司(2 家)
T/CASAS 036—2025 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法 团标 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 中国科学院半导体研究所、山东天岳先进科技股份有限公司(2 家)
GB/T 14264-2024 半导体材料术语 国标 国家标准化管理委员会 中国科学院半导体研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司(2 家)
GB/T 42274-2022 氮化铝材料中痕量元素(镁、镓)含量及分布的测定 二次离子质谱法 国标 国家标准化管理委员会 中国科学院半导体研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司(2 家)
GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 国标 国家标准化管理委员会 山东天岳先进科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司(2 家)

四、招投标加分潜力分析

标准化业绩是招投标技术标的重要加分项。已根据贵企业 30 项参编记录(牵头 1 项)与同行数据,完成加分潜力测算。
标准级别牵头起草参与起草
国家标准4 ~ 6 分2 ~ 4 分
行业标准3 ~ 5 分1.5 ~ 3 分
团体标准2 ~ 4 分1 ~ 2 分
贵企业现有参编组合的标准化加分潜力约为 55 ~ 108 分
其中牵头起草 1 项可争取更高档位分值 · 多数招标项目技术标标准化加分上限为 5 ~ 10 分,贵企业已可覆盖多数项目的加分上限,后续参编主要提升竞争壁垒
以上 30 项标准均可在发布前开具参编证明,直接作为投标佐证材料(1 周内可出)
企业标准化加分潜力估算与贵企业差距
本企业55 ~ 108 分—
有色金属技术经济研究院有限责任公司 586 ~ 1172 分 落后约 1064 分
山东天岳先进科技股份有限公司 25 ~ 50 分 贵企业领先约 58 分
中国科学院半导体研究所 214.5 ~ 429 分 落后约 321 分
说明:分值区间依据政府采购、工程建设类招标常见评标办法整理,仅作参考;实际加分以各项目招标文件评审标准为准。

五、结论与建议

综上,贵企业当前参编 30 项标准(牵头 1 项),在同行业对比中仍有提升空间——同行领先企业参编 311 项,差距即机会。结合上方机会清单,优先选择与主营业务强相关、正处于征集阶段的团体标准切入。

参编标准可为企业带来:投标加分与资质背书、行业话语权、参编证明(1 周内可出,标准发布前即可用于投标)。

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